La miniaturisation des dimensions du transistor était le facteur principal et le plus important menant aux améliorations des performances et du coût du circuit intégré contribuant au développement rapide de l'industrie des semi-conducteurs. Dans cette thèse, nous proposons tout d'abord une nouvelle structure MOSFET à double grille sans jonction (DGJL) basée à la fois sur la grille double matériaux et les extensions fortement dopées liées aux drain et source. Des modèles analytiques associés au courant de drain, aux paramètres de performance analogique et radiofréquence (RF) sont développés en incorporant l'impact d'une grille à deux matériaux et deux régions d'extension fortement dopées sur les performances analogique/RF du MOSFET DGJL. Les facteurs de mérite (FOM) du transistor, qui régissent le comportement analogique/RF, sont également analysées. Les résultats de notre étude concernant les performances analogique/RF pour la structure proposée sont discutés et comparés avec ceux d‟un MOSFET DGJL conventionnel de dimensions similaires, où le dispositif proposé présente une excellente capacité à améliorer ces performances, et fournit un courant de drain plus élevé. Les résultats délivrés sont validés par rapport aux données obtenues à partir du logiciel TCAD pour une large gamme de paramètres de conception. De plus, les modèles analytiques développés ont été adoptés comme une fonction objectif pour optimiser les performances analogique/RF du dispositif en utilisant les Algorithmes Génétiques (AGs). En comparaison avec les données numériques rapportées pour la structure MOSFET en mode d‟Inversion (IM), nos paramètres de performance optimisés pour le dispositif JL présentent une amélioration en comparaison avec le dispositif en mode d'inversion. Cette thèse s‟occupe également de l'immunité du dispositif DG MOSFET sans jonctions envers l'effet de dégradation initié par les porteurs chauds. En conséquence, nous avons démontré que le DG MOSFET sans jonctions peut être un choix fiable pour améliorer les performances relatives aux transistors MOSFET à l'échelle nanométrique pour les applications numériques.

L’objectif de cette thèse est l’analyse des antennes microrubans fabriquées à base de patchs parfaitement conducteurs et supraconducteurs avec et sans couche protectrice utilisant deux méthodes différentes : le modèle de la cavité basé sur les connaissances électromagnétiques et l’approche spectrale conjointement avec les conditions aux limites de la résistivité complexe. La première méthode est choisie puisque, contrairement aux méthodes rigoureuses, elle fournit une compréhension qualitative en plus de requérir des développements mathématiques relativement courts. La deuxième méthode est réservée à l’étude des caractéristiques de résonance d’un patch microbande circulaire supraconducteur à haute température critique avec une couche protectrice. Des résultats numériques sont présentés pour le mode fondamental aussi bien que pour les modes d’ordre supérieur. Une étude paramétrique est menée pour quantifier l’influence de certains paramètres électriques et physiques sur les performances de l’antenne en tenant compte de l’anisotropie uniaxiale dans le diélectrique. Les résultats numériques de chaque structure sont comparés aux données théoriques et expérimentales reportées dans la littérature ouverte.