Communications

En plus de leurs activités pédagogiques et d’encadrement, les membres des différentes équipes contribuent activement aux différentes rencontres scientifiques à l’échelle nationale et internationale. La liste des conférences suivantes ( depuis la création du laboratoire en 2001) est le meilleur témoignage des efforts fournis par l’ensemble du staff du laboratoire LEA.

2018

Structural and magnetic study of the influence of the thickness on multilayer (Ni/NiO) deposits at room temperature
International conference on communications and Electrical Engineering, 17-18 December 2018, University of El-Oued, Algeria
A. Bendjerad, A. Benhaya, F. Smaili, A. Lahmar, M. Yekhlef, S. Boukhtache, F. Djeffal

2017

Simulation and analysis of Graphene-based nanoelectronic circuits using ANN method
NN 2017, 04-07 July, Thessaloniki, Greece
A. Kadri, F. Menacer, F. Djeffal

Numerical investigation of junctionless GAA MOSFET including degradation-related ageing effects
E-MRS Fall 2017, 18-21 September, Warsaw, Poland
E. Chebaki, H. Ferhati, F. Djeffal, T. Bentrcia

Thermal stability investigation of power GaN HEMT including self-heating effects
IEEE-ICSC 2017, May 8-10, 2017, Batna, Algeria
A. Aouf, F. Djeffal, F. Douak

Modeling and investigation of smart capacitive pressure sensor using artificial neural networks
IEEE-ICSC 2017, May 8-10, 2017, Batna, Algeria
F. Menacer, A. Kadri, F. Djeffal, Z. Dibi

Enhanced performance of ZnO/c-Si solar cell using interface engineering with grooves morphology
IEEE-ICSC 2017, May 8-10, 2017, Batna, Algeria
H. Ferhati, F. Djeffal, A. Benhaya

Enhancement of the optical performance of ZnO thin-film using metallic nano-particles for optoelectronic applications
IEEE-STA 2016, December 19-22, 2017, Sousse, Tunisia
N. Boukhenoufa, H. Ferhati, F. Djeffal, R. Mahamdi

Modeling of boron nitride-based nanotube biological sensor using neural networks
IEEE-STA 2016, December 19-22, 2017, Sousse, Tunisia
F. Menacer, A. Kadri, F. Djeffal, Z. Dibi

Cellules photovoltaïques : De la couche active au panneau solaire photovoltaïque
Journées portes ouvertes sur la Faculté des Sciences Exactes (JFSE 2017), 11-12 avril 2017, Université Tahri Mohamed, Bechar, Algerie
A. Benhaya

2016

Amorphous Silicon Thin-Film Transistors based Digital Circuits
The International Conference on Digital Information Processing, Electronics, and Wireless Communications (DIPEWC2016), Dubai, 2-4 Mars, UAE, pp. 15-20, 2016. ISBN: 978-1-941968-32-1 ©2016 SDIWC.
Z. HAFDI

2015

Modélisation Capacité-Tension de Transistors a-Si:H TFTs
2èmes Journées d’Etudes des Jeunes Scientifiques 2JEJS’15, 24-25 Mai 2015, Batna, Algérie
S. Belkacemi, Z. HAFDI

2014

Surface States in Amorphous Silicon Thin-Film Transistors: Modeling and Impact
International Conference on Innovative Trends in Science, Engineering and Management, ICITSEM 2014, Feb; 12 & 13, 2014, Dubai, UAE, pp. 9-14, 2014. ISBN: 978-93-83303-19-9.
Z. HAFDI

Amorphous Silicon Technology: from the Material to the Circuit
Journées sur les Signaux et Systèmes JSS’14, Guelma, Algeria, 19-20 Nov, 2014
Z. HAFDI

Design and Characteristics of an a-Si Active Pixel Sensor for Medical X-Ray Imaging
Journées sur les Signaux et Systèmes JSS’14, 19-20 Nov, Guelma, Algeria, 2014
S. Belkacemi, Z. HAFDI

2013

Design Considerations of an Amorphous Silicon Demultiplexer
17th International Conference ELECTRONICS 2013, 17-19 June Palanga- Lithuania, Vol. 19, No 8, pp. 65-68
Z. HAFDI

Amorphous Silicon based MIS Structures for Solar Cells Applications: Electrical Considerations
1st IEEE International Conference and Exhibition on the Applications of Information Technology in Developing Renewable Energy Processes and Systems (IT-DREPS), Amman-Jordan, 29th-31st May, pp 20-25, 2013. ISBN: 978-1-4799-0713-7.
Z. HAFDI

2012

2011

Optimisation du comportement sous-seuil d’un transistor double-grille GaN-MESFET fortement submicronique en utilisant les Algorithmes génétiques
The Inernational Conference on Electronics and Oil, ICEO’11, March 01-02, 2011, Ouargla, Algeria
N. Lakhdar, F. Djeffal, T. Bendib, A. Benhaya

Un modèle analytique permettant de décrire le comportement sous-seuil du transistor GCGS MOSFET nanométrique
The Inernational Conference on Electronics and Oil, ICEO’11, March 01-02, 2011, Ouargla, Algeria
N. Lakhdar, F. Djeffal, T. Bendib, A. Benhaya

Optimisation du comportement sous-seuil d’un transistor double-grille GaN-MESFET fortement submicronique en utilisant les algorithmes génétiques
International Conference on Systems and Information Processing ICSIP'11, May 15-17 2011, Guelma, Algeria

N. Lakhdar, F. Djeffal, A. Benhaya

Compact charge model for ultra-thin nanoscale DG MOSFETs
EMCMRE-1, November 21-25, 2011, Marrakch, Morocco
M.A. Abdi, F. Djeffal, T. Bendib, M. Chahdi, A. Benhaya

Fuzzy-logic-based approach to study the electron mobility in nanoscale DG MOSFETs
EMCMRE-1, November 21-25, 2011, Marrakch, Morocco
A. Ferdi, F. Djeffal, D. Arar, M. Chahdi, A. Benhaya

2010

An analytical capacitance model for a hydrogenated amorphous silicon based thin-film transistor
7ème Colloque Franco-Libanais sur la Science des Matériaux, CSM7, May 20 – 22, Beyrouth-Liban, p. 247, 2010

Z. Hafdhi

An analytical drain current model for GS GAA MOSFET including interfacial traps, accepted for XIth International Workshop on Symbolic and Numerical Methods
Modeling and Applications to Circuit Design (SM2ACD), Tunis-Gammarth 05-06 October 2010, Tunisia
M.A. Abdi, F.Djeffal, T. Bentrcia, A.Benhaya

2009

PSO-based approach to study the nanoscale DG MOSFETs, Second International Conference on Electronics Systems
CISE’09, Oct. 25- 26, 2009 Batna, Algeria
[C.17] T. Bendib, F.Djeffal, A.Benhaya

2008

Analysis and Performance of an Amorphous Silicon Thin-Film Transistor Inverter
Second International Conference on Electrical Engineering Design and Technologies, 8-10 November, ICEEDT08, Hammamet-Tunisia
Z. HAFDI

I-V Characteristics and Front Interface States in a-Si:H TFTs for AMLCDs’ Applications
Proceedings du 8ème Congrès National de la Physique et de ses Applications (CNPA08), 11-13 November, Béjaia, Algeria
Z. HAFDI

2007

Electrical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Based Thin-Film Transistors
Proceedings International Conference on Electrical Engineering Design and Technologies, ICEEDT07, 4-6 Nov. Hammamet-Tunisia
Z. HAFDI

Modélisation Neuronale des Coefficients de Transport des Porteurs de Charge dans le Silicium Cristallin
International Congress on Renewable Energies and Development ICRESD_07, May 21-27, 2007, Tlemcen, Algeria
F. Djeffal, A.Benhaya, M. Chahdi

A neural approach to study the scaling capability of the undoped Double-Gate and cylindrical Gate All around MOSFETs
Symposium on Nanostructures based on group IV and Organic semiconductors E-MRS 2007, 27-June 1, 2007, Strasbourg, FRANCE
F. Djeffal, A. Abdi, M. Chahdi, A. Benhaya

2006

Modélisation d’une Structure MIS à Base de Silicium Amorphe Hydrogéné, en Régime Statique
5ème Colloque Franco-Libanais sur la Science des Matériaux, CSM5, 17-19 May, Beyrouth-Liban
Z. HAFDI

2005

Un prédicteur à base des RNAs permettant l’estimation de la dégradation des transistors MOSFETs fortement submicroniques
International Conference on Electronics Systems CISE’05, December 13-14, 2005, Batna, Algeria
F.Djeffal, M. Chahdi, A.Benhaya

Modelling and simulation of nanoscale CMOS circuits using artificial neural network
International Conference on Electronics Systems CISE’05, December 13-14, 2005, Batna, Algeria
F.Djeffal, A.Benhaya, M.Chahdi

Study the scaling capability of the DG MOSFET using Artificial Neural Network
Symposium on Current trends in nanosciences from materials to applications EMRS 2005, 28-June 2, 2006, Strasbourg, France
F.Djeffal, S.Guessasma, A.Benhaya, M. Chahdi

Un modèle semi-analytique pour étudier l’effet des paramètres du transistor Double-Gate MOSFET nanométrique sur le courant sous seuil
1st International Conference on Nanomaterials and Applications INCONA2005, November19-21, 2005, Annaba, Ageria
M. Meguellati, F.Djeffal, A.Benhaya, M. Chahdi

2004

Theoretical study of the Sub-threshold Regime of a-Si:H TFTs
Al-Azhar Engineering International Conference, Dec., AEIC04, Dec. 24-27, Cairo, Egypt
Z. HAFDI

Modélisation semianalytique des paramètres des transport dans les matériaux optoélectroniques
First National of Electronic PCE’04, April 17-15, 2004, Bordj Bou Arréridj, Algeria
F. Djeffal, A.Benhaya, M. Chahdi

Un dispositif expérimental assisté par ordinateur permettant l’étude de la dégradation des transistors MOSFETs Submicroniques
International Congress of Electrical Engineering CIGE2004, Octobre 4-7, 2004, Sétif, Algeria
F.Djeffal, A.Benhaya, M.Chahdi

Modélisation semianalytique du transistor DG MOSFET symétrique fortement submicronique
Conférence Maghrébine en Génie Electrique CMGE’2004, 12-13 Avril, 2004, Constantine, Algeria
F.Djeffal, A.Benhaya, M. Chahdi

2003

Un dispositif expérimental permettant d’étudier les coefficients de transport des porteurs minoritaires dans le silicium cristallin
International Conference of Materials Sciences and Engineering ICMSE-1, May 5-7, 2003, M’sila, Algeria
F.Djeffal, A.Benhaya, M.Chahdi

Une approche analytique pour étudier l’effet de température, des impuretés et du champ électrique sur les coefficients de transport dans le silicium cristallin
Conférence Internationale sur la Physique et ces Applications CIPA’2003, 08-10 Décembre, 2003, Oran, Algérie
F.Djeffal, A.Benhaya, M.Chahdi

Un dispositif expérimental assisté par PC permettant l’étude du transport des porteurs majoritaires dans les semiconducteurs
International Congress on Photovoltaic and Wind Energies ICPWE’2003, December 20-22, 2003, Tlemcen, Algeria
F.Djeffal, A.Benhaya, M.Chahdi

Modélisation numérique du transistor DGMOSFET fortement submicronique
Edward A.Bouchet International Conference on Physics and high Technology EBIC’05, August 11-15, 2003, Hammamet, TUNISIA
F.Djeffal, A.Benhaya, M.Chahdi

2002

A refined measurement scheme based on programmable electronic to study transport properties in semiconductors devices
International Conference on Microelectronics ACM’02, October 13-15, 2002, Algiers, Algeria
F.Djeffal, A.Benhaya, M.Chahdi

Un modèle analytique permettant l’étude de l’effet de la température, des impuretés et du champ électrique sur la mobilité électrique dans l’arséniure de gallium
Congrès National de la Phasique et de ces Applications CNPA’2002, 28-30 Octobre, 2002, Batna, Algérie
F.Djeffal, A.Benhaya, M. Chahdi

2001

Une approche analytique permettant d’étudier la mobilité des porteurs de charge dans le silicium cristallin
Conférence Maghrébine en Génie Electrique, CMGE2001, 07-09 Novembre, 2001, Constantine, Algérie
F.Djeffal, A.Benhaya, M.Chahdi