In the last few years, an accelerated trend towards the miniaturization of nanoscale circuits has been recorded. In this context, the Tunneling Field-Effect Transistors (TFETs) are gaining attention because of their good subthreshold characteristics, high scalability and low leakage current. However, they suffer from low values of the ON-state current and severe ambipolar transport mechanism. The aim of this work is to investigate the performance of SiGe nanoscale Double Gate TFET device including low doped drain region. The electrical performance of the considered device is investigated numerically using ATLAS 2D simulator, where both scaling and reliability aspects of the proposed design are reported. In this context, we address the impact of the channel length, traps density and drain doping parameters on the variation of some figures of merit of the device namely the swing factor and the I_ON/I_OFF ratio. The obtained results indicate the superior immunity of the proposed design against traps induced degradation in comparison to the conventional TFET structure. Therefore, this work can offer more insights regarding the benefit of adopting channel materials and drain doping engineering techniques for future reliable low-power nanoscale electronic applications.

In this paper, Ni/NiO/Ni multilayers are deposited on glass substrates using radio frequency magnetron sputtering, where the structural and morphological properties are analyzed using X-ray diffraction besides scanning electron microscopy techniques. The associated magnetic hysteresis loops are obtained by vibrating sample magnetometer for temperatures ranging from − 100 to 300 °C. Hence, the parameters α, β, B_max, H_C, and B_r defining a hysteresis loop are determined at each temperature using Preisach model for the first two parameters, while the remaining ones are deduced experimentally. The set of these parameters are introduced within the training data set in the context of an ANFIS-based approach to predict the hysteresis loop of a Ni/NiO/Ni multilayer for any temperature below the Curie temperature. The comparison conducted between theoretical and experimental results showed a good agreement. This work provided more insights regarding the consolidation of experimental characterization with the development of soft computing-based frameworks.

La miniaturisation des dimensions du transistor était le facteur principal et le plus important menant aux améliorations des performances et du coût du circuit intégré contribuant au développement rapide de l'industrie des semi-conducteurs. Dans cette thèse, nous proposons tout d'abord une nouvelle structure MOSFET à double grille sans jonction (DGJL) basée à la fois sur la grille double matériaux et les extensions fortement dopées liées aux drain et source. Des modèles analytiques associés au courant de drain, aux paramètres de performance analogique et radiofréquence (RF) sont développés en incorporant l'impact d'une grille à deux matériaux et deux régions d'extension fortement dopées sur les performances analogique/RF du MOSFET DGJL. Les facteurs de mérite (FOM) du transistor, qui régissent le comportement analogique/RF, sont également analysées. Les résultats de notre étude concernant les performances analogique/RF pour la structure proposée sont discutés et comparés avec ceux d‟un MOSFET DGJL conventionnel de dimensions similaires, où le dispositif proposé présente une excellente capacité à améliorer ces performances, et fournit un courant de drain plus élevé. Les résultats délivrés sont validés par rapport aux données obtenues à partir du logiciel TCAD pour une large gamme de paramètres de conception. De plus, les modèles analytiques développés ont été adoptés comme une fonction objectif pour optimiser les performances analogique/RF du dispositif en utilisant les Algorithmes Génétiques (AGs). En comparaison avec les données numériques rapportées pour la structure MOSFET en mode d‟Inversion (IM), nos paramètres de performance optimisés pour le dispositif JL présentent une amélioration en comparaison avec le dispositif en mode d'inversion. Cette thèse s‟occupe également de l'immunité du dispositif DG MOSFET sans jonctions envers l'effet de dégradation initié par les porteurs chauds. En conséquence, nous avons démontré que le DG MOSFET sans jonctions peut être un choix fiable pour améliorer les performances relatives aux transistors MOSFET à l'échelle nanométrique pour les applications numériques.

L’objectif de cette thèse est l’analyse des antennes microrubans fabriquées à base de patchs parfaitement conducteurs et supraconducteurs avec et sans couche protectrice utilisant deux méthodes différentes : le modèle de la cavité basé sur les connaissances électromagnétiques et l’approche spectrale conjointement avec les conditions aux limites de la résistivité complexe. La première méthode est choisie puisque, contrairement aux méthodes rigoureuses, elle fournit une compréhension qualitative en plus de requérir des développements mathématiques relativement courts. La deuxième méthode est réservée à l’étude des caractéristiques de résonance d’un patch microbande circulaire supraconducteur à haute température critique avec une couche protectrice. Des résultats numériques sont présentés pour le mode fondamental aussi bien que pour les modes d’ordre supérieur. Une étude paramétrique est menée pour quantifier l’influence de certains paramètres électriques et physiques sur les performances de l’antenne en tenant compte de l’anisotropie uniaxiale dans le diélectrique. Les résultats numériques de chaque structure sont comparés aux données théoriques et expérimentales reportées dans la littérature ouverte.